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HYB514100J-80

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
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文件大小541KB,共19页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB514100J-80概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

HYB514100J-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SOJ
包装说明0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.27 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.75 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9 mm

HYB514100J-80相似产品对比

HYB514100J-80
描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌)
零件包装代码 SOJ
包装说明 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
针数 20
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
访问模式 FAST PAGE
最长访问时间 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20
JESD-609代码 e0
长度 17.27 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM
内存宽度 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 20
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
组织 4MX1
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ20/26,.4
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
座面最大高度 3.75 mm
自我刷新 NO
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.09 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
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