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HYB514100BT-80

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
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文件大小525KB,共22页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB514100BT-80概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

HYB514100BT-80规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
针数20
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
长度17.14 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

HYB514100BT-80相似产品对比

HYB514100BT-80 HYB514100BJ-80 HYB514100BJL-80 HYB514100BTL-80
描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TSOP SOJ SOJ TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
针数 20 20 20 20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 80 ns 80 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH; TEST MODE RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH; TEST MODE
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PDSO-G20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 17.14 mm 17.27 mm 17.27 mm 17.14 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ SOJ TSOP2
封装等效代码 TSSOP20/26,.36 SOJ20/26,.34 SOJ20/26,.34 TSSOP20/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 1.2 mm 3.66 mm 3.66 mm 1.2 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.0002 A 0.0002 A
最大压摆率 0.085 mA 0.085 mA 0.085 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING J BEND J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.75 mm 7.75 mm 7.62 mm
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