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2N5002

产品描述RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小293KB,共2页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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2N5002概述

RF POWER TRANSISTOR

射频功率晶体管

2N5002规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
JESD-30 代码O-MUPM-X3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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