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HYB39S256800DCL-7.5

产品描述Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-54
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文件大小2MB,共61页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39S256800DCL-7.5概述

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-54

HYB39S256800DCL-7.5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码BGA
包装说明12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-54
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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Data Sheet, Rev. 1.30, Feb. 2006
HYB39S256400D[C/T](L)
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