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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYB39S256400CT-8A
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HYB39S256400CT-8A

产品描述Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小276KB，共49页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39S256400CT-8A概述

Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54

HYB39S256400CT-8A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数54
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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HYB39S256400/800/160CT(L)
256MBit Synchronous DRAM
256 MBit Synchronous DRAM
•
High Performance:
-7.5
fCK
tCK3
tAC3
tCK2
tAC2
133
7.5
5.4
10
6
-8
125
8
6
10
6
-8A
125
8
6
12
6
Units
MHz
ns
ns
ns
ns
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Multiple Burst Read with Single Write
Operation
Automatic
Command
and
Controlled
Precharge
Data Mask for Read / Write control (x4, x8)
Data Mask for byte control (x16)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Power Down and Clock Suspend Mode
8192 refresh cycles / 64 ms (7,8
µs)
Random Column Address every CLK
( 1-N Rule)
Single 3.3V +/- 0.3V Power Supply
LVTTL Interface versions
Plastic Packages:
P-TSOPII-54 400mil width (x4, x8, x16)
-7.5 parts for PC133 3-3-3 operation
-8 parts for PC100 2-2-2 operation
-8A parts for PC100 3-2-2 operation
•
•
•
•
•
•
•
Fully Synchronous to Positive Clock Edge
0 to 70
°C
operating temperature
Four Banks controlled by BA0 & BA1
Programmable CAS Latency: 2 & 3
Programmable Wrap Sequence: Sequential
or Interleave
Programmable Burst Length:
1, 2, 4, 8
Full page burst length (optional) for
sequential wrap around
The HYB39S256400/800/160CT(L) are four bank Synchronous DRAM’s organized as 4 banks x
16MBit x4, 4 banks x 8MBit x8 and 4 banks x 4Mbit x16 respectively. These synchronous devices
achieve high speed data transfer rates for CAS-latencies by employing a chip architecture that
prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock. The chip is
fabricated with INFINEON’s advanced 0.17
µm
256MBit DRAM process technology.
The device is designed to comply with all industry standards set for synchronous DRAM products,
both electrically and mechanically. All of the control, address, data input and output circuits are
synchronized with the positive edge of an externally supplied clock.
Operating the four memory banks in an interleave fashion allows random access operation to occur
at higher rate than is possible with standard DRAMs. A sequential and gapless data rate is possible
depending on burst length, CAS latency and speed grade of the device.
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh operation are supported. These devices operates with a
single 3.3V +/- 0.3V power supply and are available in TSOPII packages.
INFINEON Technologies
1
8.00

HYB39S256400CT-8A相似产品对比

HYB39S256400CT-8A HYB39S256160CT-8A HYB39S256400CT-7.5 HYB39S256400CT-8 HYB39S256800CT-7.5 HYB39S256800CT-8 HYB39S256800CT-8A HYB39S256160CT-8 HYB39S256160CT-7.5
描述 Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 64MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 TSOP2, TSOP54,.46,32 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54
针数 54 54 54 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 5.4 ns 6 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 125 MHz 133 MHz 125 MHz 133 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 16 4 4 8 8 8 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54 54 54 54
字数 67108864 words 16777216 words 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 64000000 16000000 64000000 64000000 32000000 32000000 32000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX4 16MX16 64MX4 64MX4 32MX8 32MX8 32MX8 16MX16 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.22 mA 0.22 mA 0.24 mA 0.22 mA 0.24 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.24 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅

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