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HYB39M83200L-125

产品描述Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68
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文件大小528KB,共22页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39M83200L-125概述

Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68

HYB39M83200L-125规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, QCC-68
针数68
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
JESD-30 代码S-PQCC-J68
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.47 V
最小供电电压 (Vsup)3.14 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子位置QUAD

HYB39M83200L-125相似产品对比

HYB39M83200L-125 HYB39M93200L-100 HYB39M83200Q-100 HYB39M93200Q-100 HYB39M83200L-100 HYB39M83200Q-125 HYB39M93200Q-125 HYB39M93200L-125
描述 Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68 Synchronous DRAM, 288KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68 Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128 Synchronous DRAM, 288KX32, MOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128 Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68 Synchronous DRAM, 256KX32, MOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128 Synchronous DRAM, 288KX32, MOS, PQFP128, PLASTIC, QFP-128 Synchronous DRAM, 288KX32, MOS, PQCC68, PLASTIC, QCC-68
零件包装代码 LCC LCC QFP QFP LCC QFP QFP LCC
针数 68 68 128 128 68 128 128 68
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 S-PQCC-J68 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 S-PQCC-J68
内存密度 8388608 bit 9437184 bit 8388608 bit 9437184 bit 8388608 bit 8388608 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 128 128 68 128 128 68
字数 262144 words 294912 words 262144 words 294912 words 262144 words 262144 words 294912 words 294912 words
字数代码 256000 288000 256000 288000 256000 256000 288000 288000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX32 288KX32 256KX32 288KX32 256KX32 256KX32 288KX32 288KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK FLATPACK CHIP CARRIER FLATPACK FLATPACK CHIP CARRIER
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.47 V 3.47 V 3.47 V 3.47 V 3.47 V 3.47 V 3.47 V 3.47 V
最小供电电压 (Vsup) 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING J BEND
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS - - SIEMENS SIEMENS SIEMENS
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