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HYB39M83200L125

产品描述Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQCC68
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文件大小966KB,共22页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB39M83200L125概述

Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQCC68

HYB39M83200L125规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量68
字数262144 words
字数代码256000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.195 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

HYB39M83200L125相似产品对比

HYB39M83200L125 HYB39M83200Q-100 HYB39M93200L100 HYB39M83200L-100 HYB39M83200Q125 HYB39M93200L125 HYB39M93200Q125
描述 Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQCC68 Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQFP128, Synchronous DRAM, 288KX32, CMOS, PQCC68 Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQCC68, Synchronous DRAM, 256KX32, CMOS, PQFP128 Synchronous DRAM, 288KX32, CMOS, PQCC68 Synchronous DRAM, 288KX32, CMOS, PQFP128
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant compliant unknown compliant unknown not_compliant not_compliant
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 125 MHz 125 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 R-PQFP-G128 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 R-PQFP-G128 S-PQCC-J68 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 9437184 bit 8388608 bit 8388608 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32
端子数量 68 128 68 68 128 68 128
字数 262144 words 262144 words 294912 words 262144 words 262144 words 294912 words 294912 words
字数代码 256000 256000 288000 256000 256000 288000 288000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX32 256KX32 288KX32 256KX32 256KX32 288KX32 288KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QFP QCCJ QCCJ QFP QCCJ QFP
封装等效代码 LDCC68,1.0SQ QFP128,.67X.93,20 LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ QFP128,.67X.93,20 LDCC68,1.0SQ QFP128,.67X.93,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR SQUARE SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER FLATPACK CHIP CARRIER CHIP CARRIER FLATPACK CHIP CARRIER FLATPACK
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.195 mA 0.195 mA 0.195 mA 0.195 mA 0.195 mA 0.195 mA 0.195 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.5 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.5 mm 1.27 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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