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1N5407G

产品描述3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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1N5407G概述

3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

3 A, 800 V, 硅, 整流二极管

1N5407G规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

1N5407G相似产品对比

1N5407G 1N5408G 1N5404G 1N5405G 1N5406B
描述 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A 125 A 125 A 200 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 400 V 500 V 800 V
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
厂商名称 HY Electronic - HY Electronic HY Electronic -
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknown -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V -
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27 -
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND -
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA -
表面贴装 NO NO NO NO -
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