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1N5402

产品描述3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小617KB,共2页
制造商ETC1
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1N5402概述

3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 200 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5402规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压200 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

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1N5400 THRU 1N5408
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Forward Current - 3.0 Ampere
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
DO-201AD
1.0 (25.4)
MIN.
0.220 (5.6)
0.197(5.0)
DIA.
0.375(9.5)
0.285(7.2)
MECHANICAL DATA
Case
: JEDEC DO-201AD molded plastic body
Terminals
: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity
: Color band denotes cathode end
Mounting Position
: Any
Weight
:0.04 ounce, 1.10 grams
1.0 (25.4)
MIN.
0.052 (1.3)
0.048 (1.2)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS
1N
1N 1N
1N
1N
1N
1N 1N
1N
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
,
T
STG
50
35
50
100 200 300 400 500
70 140 210 280 350
100 200 300 400 500
3.0
200
1.1
5.0
100
30.0
20.0
-65 to +150
600 800 1000
420 560 700
600 800 1000
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

1N5402相似产品对比

1N5402 1N5400 1N5408
描述 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-204AE
状态 DISCONTINUED ACTIVE CONSULT MFR
二极管类型 整流二极管 整流二极管 整流二极管
端子数量 2 2 -
元件数量 1 1 -
加工封装描述 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 -
包装形状 -
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM -
端子形式 线 线 -
端子涂层 锡 铅 MATTE 锡 -
端子位置 AXIAL AXIAL -
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 -
结构 单一的 单一的 -
壳体连接 隔离 隔离 -
二极管元件材料 -
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE -
相数 1 1 -
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V -
最大平均正向电流 3 A 3 A -
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A -
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