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1N5399S

产品描述1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小175KB,共2页
制造商SEMTECH_ELEC
官网地址http://www.semtech.net.cn
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1N5399S概述

1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41

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1N5391S THRU 1N5399S
GENERAL PURPOSE PLASTIC SILICON RECTIFIERS
Reverse Voltage – 50 to 1000 Volts
Forward Current – 1.5 Ampere
Features
Low cost
High current capability
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammabiliy
Classification 94V-O ctilizing Flame Retardant
Epoxy Molding Compound
Low leakage
MECHANICAL DATA:
Case: Molded plastic, DO-41
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-202, method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
Absolute Maximum Ratings and Characteristics
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Symbols
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375”, 9.5 mm Lead Length at T
A
=60℃
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
Maximum Forward Voltage at 1.5A DC and 25℃
Maximum Reverse Current, at T
A
=25℃
At Rated DC Blocking Voltage T
A
=100℃
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N
50
35
50
1N
100
70
100
1N
200
140
200
1N
300
210
300
1N
400
280
400
1.5
1N
500
350
500
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
Units
V
V
V
A
5391S 5392S 5393S 5394S 5395S 5396S 5397S 5398S 5399S
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
Θ
JA
T
J
, T
stg
50
1.4
5
500
25
26
-55 to +150
A
V
μA
pF
℃/W
Notes:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V
DC
.
2. Thermal resistance junction to ambient and form junction to lead at 0.375”(9.5mm) lead length P.C.B. mounted.
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
(Subsidiary
of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)
®
Dated : 01/06/2005 H

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