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SML4750AHE3_A/I

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小97KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SML4750AHE3_A/I概述

Zener Diode,

SML4750AHE3_A/I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time17 weeks
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准AEC-Q101
标称参考电压27 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差5%
工作测试电流9.5 mA

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SML4738 to SML4764A
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Surface Mount Zener Diodes
FEATURES
• Plastic package has underwriters laboratory
flammability classification 94 V-0
• For surface mounted applications
• Low Zener impedance
• Low regulation factor
• High temperature soldering guaranteed:
260 °C/10 s at terminals
SMA (DO-214AC)
DESIGN SUPPORT TOOLS
Models
Available
• Standard voltage tolerance is ± 10 %, suffix A ± 5 %
• AEC-Q101 qualified available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
click logo to get started
MECHANICAL DATA
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, ...)
PRIMARY CHARACTERISTICS
PARAMETER
V
Z
range nom.
Test current I
ZT
V
Z
specification
Circuit configuration
VALUE
8.2 to 100
2.5 to 31
Pulse current
Single
UNIT
V
mA
ORDERING INFORMATION
DEVICE NAME
SML4738 to SML4764A
SML4738HE3_A/I
SML4738-E3/61
SML4738 to SML4764A
SML4738HE3_A/H
1800 (12 mm tape on 7" plastic reel)
1800
ORDERING CODE
SML4738-E3/5A
7500 (12 mm tape on 13" plastic reel)
7500
TAPED UNITS PER REEL
MINIMUM ORDER QUANTITY
PACKAGE
PACKAGE NAME
SMA (DO-214AC)
WEIGHT
64 mg
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY
FLAMMABILITY RATING
LEVEL
UL 94 V-0
MSL level 1
(according J-STD-020)
SOLDERING CONDITIONS
Peak temperature max. 260 °C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
TEST CONDITION
T
L
= 75 °C
SYMBOL
P
tot
T
j
T
stg
VALUE
1000
150
-65 to +150
UNIT
mW
°C
°C
Rev. 2.1, 24-Jan-2019
Document Number: 85782
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
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