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SV5802

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, 106, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小248KB,共4页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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SV5802概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, 106, 2 PIN

SV5802规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICAL BONDED
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流2.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SENSITRON
___
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 158, REV. F.3
1N5802/US thru 1N5806/US
Standard
ULTRAFAST RECOVERY
RECTIFIERS
A
V AI L AB L E AS
1 N , J AN , J AN T X , J ANT XV
JANS
JAN EQUIVALENT *
SJ*, SX*, SV*, SS*
Ultrafast Recovery Rectifiers
Qualified per MIL-PRF-19500/477
DESCRIPTION:
This voidless hermetically sealed ultrafast recovery rectifier diode series is military qualified per
MIL-PRF-19500/477 and is targeted for space, commercial and military aircraft, military vehicles,
shipboard markets and all high reliability applications.
FEATURES / BENEFITS:
Hermetic, non-cavity glass package
Category I Metallurgically bonded
All devices are 100% hot solder dipped
JAN/ JANTX/JANTXV available per
MIL-PRF-19500/477
“JANS Plus” removes atypical/out of family V
F
MAXIMUM RATINGS
Operating and Storage Temperature: -65 C to
+175 C
Thermal Resistance: 36 C (junction to lead)
Thermal Resistance: 13 C (junction to endcap)
Forward surge current: 35A @ 8.3 ms half-sine
o
o
o
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TYPE
NUMBER
WORKING
PEAK
REVERSE
VOLTAGE
Volts
50
100
150
AVG
RECTIFIED
1
CURRENT
Amps
55C
2.5
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
@ PIV
Amps
25C
125C
1
175
MAX. PEAK
FORWARD
VOLTAGE
(PULSED)
V
F
@ 1A
V
.875
MAXIMUM
SURGE
2
CURRENT
I
FSM
Amps
35
MAXIMUM
REVERSE
RECOVERY
3
TIME
T
rr
nsec
25
1N5802/US
1N5804/US
1N5806/US
Note 1: T
EC
= T
L
at L=0 or T
end tab
f or US suffix devices. Derate at 25mA/C for T
L
above 75C.
Note 2: I
o
= 1A, 8ms surge
Note 3: I
F
=0.5A, Irm=1A, I
r(REC)
=.25A
*Sensitron
space equivalent diodes
are manufactured and screened to MIL-PRF-19500 flow and guidelines starting
from wafer fabrication through assembly and testing using our internal specification.
©2013 Sensitron Semiconductor
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
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