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1N4937

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共2页
制造商Tak Cheong
官网地址http://www.takcheong.com/
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1N4937概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4937规格参数

参数名称属性值
厂商名称Tak Cheong
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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P re lim in ary Da t a S he et
1N4933
THRU
1N4937
1.0AMP.
Fast Recovery Rectifiers
VOLTAGE:50 TO 600V
CURRENT:1.0A
AXIAL LEAD
DO-41
Specification Features:
Case: Epoxy, Molded
Weight: 0.4Gram (Approximately)
High current capability, Low leakage current
DEVICE MARKING DIAGRAM
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant And Terminal Leads Are
Readily Solderable
Lead And Mounting Surface Temperature For Soldering Purposed:
260℃ Max. For 10 Seconds 1/16 Inch From Case
RoHS Compliant
Cathode Indicated By Polarity Band
KEL
: KEL Logo
1N49XX: Device Name 1N4933~ 1N4937
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Maximum Repetitive Peak
Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectifier
Current.
(0.375” Lead Length @ T
A
=75℃)
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current.
(8.3mS Single Half Sine-wave)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
(Note 1)
T
A
= 25°C unless otherwise noted
1N
1N
Symbol
4933
4934
V
RRM
V
R
I
F(AV)
I
FSM
T
J,
T
STG
R
θJA
50
50
100
100
1N
4935
200
200
1.0
30
-65 to +150
65
1N
4936
400
400
1N49XX
KEL
High surge current capability
1N
4937
600
600
Units
V
V
A
A
°C
°C/W
Electrical Characteristics
Parameter
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
1N
4933
1N
4934
1N
4935
5
1N
4936
1N
4937
Units
Reverse Current @V
R
I
R
uA
Forward Voltage @1A
Maximum Reverse Recovery Time
(Note 2)
Total Capacitance
@VR=4V, f=1MHz
V
F
1.2
V
T
RR
200
nS
C
T
15
pF
Apr. 2008 Release / Orig
Page 1
1N4933 through 1N4937 Series
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