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1N4934G

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小35KB,共1页
制造商重庆平伟实业
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1N4934G概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.
1N4933G THRU 1N4937G
FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE:50-600V
CURRENT:1.0A
FEATURES
·Fast
switching
·Low
leakage
·Low
forward voltage drop
·High
current capability
·High
surge capability
·High
reliability
DO-41
1.0(25.4)
MIN.
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA.
DIA.
MECHANICAL DATA
·Case:
Molded plastic
·Epoxy:
UL94V-0 rate flame retardant
·Lead:
MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed
·Polarity:Color
band denotes cathode end
·Mounting
position:
Any
·Weight:
0.33 grams
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
SYMBOL
1N4933G
1N4934G
100
70
100
1N4935G 1N4936G 1N4937G
units
200
140
200
1.0
30
1.3
5.0
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward rectified Current
at T
A
=75°C
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rate load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous forward Voltage at 1.0A
DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage T
A
=25°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
o
I
FSM
V
F
50
35
50
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle
Average,.375”(9.5mm) lead length at T
L
=75°C
t
rr
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
C
J
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Notes: 1.Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
I
R
µA
100
150
15
250
nS
pF
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
www.fineprint.cn

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