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S-2812ADP-400: 产品描述EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, PDIP28, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小252KB，共21页; 制造商ABLIC

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S-2812ADP-400概述

EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, PDIP28, DIP-28

S-2812ADP-400规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ABLIC
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	400 ns
其他特性	DATA RETENTION 10 YEARS
数据保留时间-最小值	10
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
长度	35.6 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

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Rev.1.1

CMOS 16K-bit PARALLEL E

PROM

S-2812A/2817A

The S-2812A and the S-2817A are low power 2K×8-bit parallel

E PROMs. The S-2812A features wide operating voltage range, and

the S-2817A features 5-V single power supply. Since provided with 32-

byte page write function, they can perform fast programming operation.

Features

•

Access time: 150 ns

=5 V±10%, Ta=0°C to 70°C)

•

Low power consumption

Operating: 30 mA max. (V

=5 V±10%)

Standby:

µA

max. (V

=5 V±10%)

•

Operating voltage range

S-2812A

S-2817A

Read: 1.8 to 5.5 V

5 V±10%

Write: 2.7 to 5.5 V

5 V±10%

•

Write inhibition

S-2812A: 2.1 V typ.

S-2817A: 3.5 V typ.

•

Data polIing

•

With Ready/Busy pin

•

Page write for 32 bytes

•

Rewritings: 10

times

•

Data retention: 10 years

•

Program noise immunity

•

Package: 28-pin DIP/SOP/TSOP

•

Supply in bare chip is also available

Pin Assignment

28-pin DIP/SOP

Top view

R/B

I/O

GND

I/O

Pin name

to A

I/O

to I/O

R/B

GND

Function

Address input

Data input / output

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

Ready/Busy (opendrain output)

Power supply voltage

Ground (0 V)

28-pin TSOP

Top view

R/B

I/O

GND

I/O

Figure 1

Seiko Instruments Inc.

S-2812ADP-400相似产品对比

	S-2812ADP-400	S-2812ATF-400	S-2812ACA-400	S-2812AFE-400
描述	EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, PDIP28, DIP-28	EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, PDSO28, TSOP-28	EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, DIE	EEPROM, 2KX8, 400ns, Parallel, CMOS, PDSO28, SOP-28
零件包装代码	DIP	TSOP	DIE	SOIC
包装说明	DIP,	TSOP1,	DIE,	SOP,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	400 ns	400 ns	400 ns	400 ns
其他特性	DATA RETENTION 10 YEARS	DATA RETENTION 10 YEARS	DATA RETENTION 10 YEARS	DATA RETENTION 10 YEARS
数据保留时间-最小值	10	10	10	10
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	X-XUUC-N	R-PDSO-G28
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	TSOP1	DIE	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	UNSPECIFIED	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	UNCASED CHIP	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	NO LEAD	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	UPPER	DUAL
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms
厂商名称	ABLIC	-	ABLIC	ABLIC
针数	28	28	-	28
长度	35.6 mm	11.8 mm	-	18.3 mm
端子数量	28	28	-	28
座面最大高度	5.7 mm	1.2 mm	-	3 mm
端子节距	2.54 mm	0.55 mm	-	1.27 mm
宽度	15.24 mm	8 mm	-	8.4 mm

S-2812ADP-400

S-2812ADP-400概述

S-2812ADP-400规格参数

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