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RU3AM(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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RU3AM(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM),

RU3AM(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1.5 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO

RU3AM(Z)文档预览

BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
RU3M(Z) --- RU3AM(Z)
VOLTAGE RANGE: 400 --- 600 V
CURRENT: 1.5 A
HIGH EFFICIENCY RECT IFIER
Low cos t
Diffvs ed junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High crrent capability
Eas ily cleaned with freon, alcohol, ls opropand
and s im ilar s olvents
DO - 15B
MECHANICAL DATA
Cas e: JEDEC DO-15B, m olded plas tic
Term inals : Axial leads ,s olderable per
MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.024 ounces , 0.68 gram s
Mounting: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient tem perature unles s otherwis e s pecified.
Single phas e,half wave,50 Hz,res is tive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
RU3M
Maximum peak repetitive reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average f orw ard rectif ied current
9.5mm lead length,
Peak f orw ard surge current
10ms single half -sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
@T
A
=75
RU3AM
600
420
600
1.5
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
R MS
V
DC
I
F (AV)
400
280
400
I
F SM
50.0
A
Maximum instantaneous f orw ard voltage
@ 1.5A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
N OTE: 1.Meas ured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V D C .
3. Therm al resistance junction to am bient.
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JL
T
J
T
STG
50
1.1
10.0
350.0
100
30
12
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
µ
A
ns
pF
/W
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
(Note3)
www.galaxycn.com
Document Number 0262044
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
RU3M(Z)---RU3AM(Z)
FIG.1 -- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
t
rr
50
N 1.
10
N 1.
+0.5A
D.U.T.
(+)
25VDC
(approx)
(-)
PULSE
GENERATOR
(NOTE2)
1
NONIN-
DUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE1)
0
-0.25A
-1.0A
1cm
NOTES:1.RISE TIME = 7ns MAX.INPUT IMPEDANCE =1M . 22pF.
JJJJ
2.RISE TIME =10ns MAX.SOURCE IMPEDANCE=50 .
SET TIME BASE FOR 10/20 ns/cm
FIG.2 -- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
100
10
FIG.3 -- FORWARD DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT
AMPERES
2.0
T
J
=25
Pulse Width=300
µ
S
1.5
1.0
AMPERES
1.0
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
Inductive Load
0.1
0.04
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6
1.8 2
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
AMBIENT TEMPERATURE,
FIG.4 -- PEAK FORWARD SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
AMPERES
50
FIG.5--TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
200
100
JUNCTION CAPACITANCE,pF
60
40
20
10
RU3M
40
30
8.3ms Single Half
Sine-Wave
RU3AM
20
4
10
    
T
J
=25
2
1
0.1 0.2
0.4
1
2
4
10
20
40
100
0
0.1
5
10
50
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
REVERSE VOLTAGE,VOLTS
www.galaxycn.com
Document Number 0262044
BL
GALAXY ELECTRICAL
2
.

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RU3AM(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM),
是否Rohs认证 符合
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Reach Compliance Code unknown
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配置 SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 50 A
元件数量 1
最高工作温度 150 °C
最大输出电流 1.5 A
最大重复峰值反向电压 600 V
最大反向恢复时间 0.1 µs
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