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GA200DD120S

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共5页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
下载文档 详细参数 全文预览

GA200DD120S概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

GA200DD120S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-D7
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)200 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-PUFM-D7
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量7
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
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