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934066871115

产品描述Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小249KB,共14页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934066871115概述

Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

934066871115规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)7.2 A
最大漏源导通电阻0.0225 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

934066871115相似产品对比

934066871115 PMPB19XP
描述 Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 7.2 A 7.2 A
最大漏源导通电阻 0.0225 Ω 0.0225 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-PDSO-N6 S-PDSO-N6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 6 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A 30 A
参考标准 IEC-60134 IEC-60134
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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