Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 7.2 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0225 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
934066871115 | PMPB19XP | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 20V, 0.0225ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 7.2 A | 7.2 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0225 Ω | 0.0225 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N6 | S-PDSO-N6 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 6 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 30 A | 30 A |
参考标准 | IEC-60134 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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