SRAM Module, 128KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micross |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | QFP, QFP68,.99SQ,50 |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| 其他特性 | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
| 备用内存宽度 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CQFP-G68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 22.352 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QFP |
| 封装等效代码 | QFP68,.99SQ,50 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.006 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.6 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 22.352 mm |
| AS8S128K32Q-20/883C | AS8S128K32Q-35/883C | AS8S128K32Q-25/883C | AS8S128K32Q-45/883C | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Module, 128KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | SRAM Module, 128KX32, 35ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | SRAM Module, 128KX32, 25ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | SRAM Module, 128KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | QFP, QFP68,.99SQ,50 | QFP, QFP68,.99SQ,50 | QFP, QFP68,.99SQ,50 | QFP, QFP68,.99SQ,50 |
| 针数 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 20 ns | 35 ns | 25 ns | 45 ns |
| 其他特性 | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
| 备用内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CQFP-G68 | S-CQFP-G68 | S-CQFP-G68 | S-CQFP-G68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 22.352 mm | 22.352 mm | 22.352 mm | 22.352 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 128KX32 | 128KX32 | 128KX32 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QFP | QFP | QFP | QFP |
| 封装等效代码 | QFP68,.99SQ,50 | QFP68,.99SQ,50 | QFP68,.99SQ,50 | QFP68,.99SQ,50 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.6 mA | 0.52 mA | 0.56 mA | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 22.352 mm | 22.352 mm | 22.352 mm | 22.352 mm |
| 厂商名称 | Micross | Micross | - | Micross |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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