IRKN162-10ENNPBF,IRKN162-10ENNPBF pdf中文资料,IRKN162-10ENNPBF引脚图,IRKN162-10ENNPBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRKN162-10ENNPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小60KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRKN162-10ENNPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	10 µs
配置	SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE
关态电压最小值的临界上升速率	100 V/us
JESD-30 代码	R-PUFM-X5
元件数量	1
端子数量	5
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	251.2 A
断态重复峰值电压	1000 V
重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

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