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UF2006

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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UF2006概述

Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM),

UF2006规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流2 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
UF2001 --- UF2007
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT:
2.0
A
ULTRA FAST RECTIFIER
DO -
15
Diffusde junction
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--15,molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.015 ounces,0.4 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
UF2001 UF2002 UF2003 UF2004 UF2005 UF2006 UF2007 UNITS
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
9.5mm lead length,
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
@T
J
=125
@T
A
=75
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
60.0
A
Maximum instantaneous forward voltage
@
2.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.0
1.3
1.70
V
A
5.0
100.0
50
50
25
- 55 ----- +
125
- 55 ----- + 150
75
30
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
ns
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient
www.galaxycn.com
Document Number 0264031
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

UF2006相似产品对比

UF2006 UF2002 UF2007 UF2004 UF2005
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2A, 600V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1 V 1.7 V 1.3 V 1.7 V
最大非重复峰值正向电流 60 A 60 A 60 A 60 A 60 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V 1000 V 400 V 600 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.05 µs 0.075 µs 0.05 µs 0.075 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd - Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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