Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MBM29SL800TD-12PBT

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MBM29SL800TD-12PBT: 产品描述Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小273KB，共56页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MBM29SL800TD-12PBT概述

Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48

MBM29SL800TD-12PBT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	BGA
包装说明	PLASTIC, FBGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
备用内存宽度	8
启动块	TOP
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
电源	2 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	6 mm

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20871-5E

FLASH MEMORY

CMOS

8 M (1 M

8/512 K

16) BIT

MBM29SL800TD/BD

-10/12

DESCRIPTION

The MBM29SL800TD/BD are a 8 M-bit, 1.8 V-only Flash memory organized as 1 Mbytes of 8 bits each or 512

Kwords of 16 bits each. The MBM29SL800TD/BD are offered in a 48-pin TSOP (I) , 48-ball FBGA and 48-ball

SCSP packages. These devices are designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 V V

supply. 12.0 V V

and 5.0 V V

are not required for write or erase operations. The devices can also be repro-

grammed in standard EPROM programmers.

(Continued)

PRODUCT LINE UP

Part No.

Ordering Part No.

= +2.0

0.2

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

MBM29SL800TD/MBM29SL800BD

−10

100

−12

120

PACKAGES

48-pin Plastic TSOP (I)

Marking Side

48-pin Plastic TSOP (I)

48-pin Plastic FBGA

48-pin Plastic SCSP

Marking Side

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(BGA-48P-M12)

(WLP-48P-M03)

MBM29SL800TD

-10/12

/MBM29SL800BD

-10/12

(Continued)

The standard MBM29SL800TD/BD offer access times 100 ns and 120 ns, allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE) ,

write enable (WE) , and output enable (OE) controls.

The MBM29SL800TD/BD are pin and command set compatible with JEDEC standard E

PROMs. Commands

are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as

input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally

latch addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the devices

is similar to reading from 5.0 V and 12.0 V Flash or EPROM devices.

The MBM29SL800TD/BD are programmed by executing the program command sequence. This will invoke the

Embedded Program Algorithm which is an internal algorithm that automatically times the program pulse widths

and verifies proper cell margin. Typically, each sector can be programmed and verified in about 0.5 seconds.

Erase is accomplished by executing the erase command sequence. This will invoke the Embedded Erase

Algorithm which is an internal algorithm that automatically preprograms the array if it is not already programmed

before executing the erase operation. During erase, the devices automatically time the erase pulse widths and

verify proper cell margin.

A sector is typically erased and verified in 1.5 second. (If already completely preprogrammed.)

The devices also feature a sector erase architecture. The sector mode allows each sector to be erased and

reprogrammed without affecting other sectors. The MBM29SL800TD/BD are erased when shipped from the

factory.

The devices feature single 1.8 V power supply operation for both read and write functions. Internally generated

and regulated voltages are provided for the program and erase operations. A low V

detector automatically

inhibits write operations on the loss of power. The end of program or erase is detected by Data Polling of DQ

by the Toggle Bit feature on DQ

, or the RY/BY output pin. Once the end of a program or erase cycle has been

completed, the devices internally reset to the read mode.

Fujitsu’s Flash technology combines years of EPROM and E

PROM experience to produce the highest levels

of quality, reliability, and cost effectiveness. The MBM29SL800TD/BD memories electrically erase the entire

chip or all bits within a sector simultaneously via Fowler-Nordhiem tunneling. The bytes/words are programmed

one byte/word at a time using the EPROM programming mechanism of hot electron injection.

MBM29SL800TD-12PBT相似产品对比

	MBM29SL800TD-12PBT	MBM29SL800TD-12PW	MBM29SL800BD-10PBT	MBM29SL800BD-12PW	MBM29SL800TD-10PBT
描述	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, SCSP-48	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48	Flash, 512KX16, 120ns, PBGA48, PLASTIC, SCSP-48	Flash, 512KX16, 100ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	PLASTIC, FBGA-48	PLASTIC, SCSP-48	PLASTIC, FBGA-48	PLASTIC, SCSP-48	PLASTIC, FBGA-48
针数	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	100 ns	120 ns	100 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8
启动块	TOP	TOP	BOTTOM	BOTTOM	TOP
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	9 mm	7.06 mm	9 mm	7.06 mm	9 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1
部门数/规模	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15
端子数量	48	48	48	48	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	VFBGA	TFBGA	VFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32	BGA48,6X8,20	BGA48,6X8,32	BGA48,6X8,20	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
编程电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	1 mm	1.2 mm	1 mm	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
切换位	YES	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	6 mm	3.52 mm	6 mm	3.52 mm	6 mm

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