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SK52BHM4

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小211KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SK52BHM4概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

SK52BHM4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流120 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SK52B thru SK515B
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Ideal for automated placement
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AA (SMB)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.1 g (approximately)
DO-214AA (SMB)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@5A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.5
0.5
I
R
dV/dt
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
20
-
10
-
10000
19
60
- 55 to +150
- 55 to +150
SK
52B
20
14
20
SK
53B
30
21
30
SK
54B
40
28
40
SK
55B
50
35
50
5
120
0.75
0.85
0.1
-
2
V/μs
O
SK
56B
60
42
60
SK
59B
90
63
90
SK
100
70
100
SK
150
105
150
510B 515B
Unit
V
V
V
A
A
0.95
V
mA
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1309050
Version: J13
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