64KX8 UVPROM, 300ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | WDIP, |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 300 ns |
| 其他特性 | VERY HIGH-SPEED SNAP PULSE PROGRAMMING |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
| 长度 | 36.83 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.91 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| SMJ27C512-30J | SMJ27C512-20J | |
|---|---|---|
| 描述 | 64KX8 UVPROM, 300ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | 64KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | WDIP, | WDIP, |
| 针数 | 28 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 300 ns | 200 ns |
| 其他特性 | VERY HIGH-SPEED SNAP PULSE PROGRAMMING | VERY HIGH-SPEED SNAP PULSE PROGRAMMING |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 | R-CDIP-T28 |
| 长度 | 36.83 mm | 36.83 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | WDIP | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.91 mm | 4.91 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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