AS7C33256NTF18B-75TQC,AS7C33256NTF18B-75TQC pdf中文资料,AS7C33256NTF18B-75TQC引脚图,AS7C33256NTF18B-75TQC电路-Datasheet-电子工程世界

AS7C33256NTF18B-75TQC: 产品描述ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小428KB，共18页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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AS7C33256NTF18B-75TQC概述

ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	100
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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