M381L1713ETM-CCC,M381L1713ETM-CCC pdf中文资料,M381L1713ETM-CCC引脚图,M381L1713ETM-CCC电路-Datasheet-电子工程世界

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M381L1713ETM-CCC: 产品描述DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小203KB，共16页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M381L1713ETM-CCC概述

DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184

M381L1713ETM-CCC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	1207959552 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.6 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.03 A
最大压摆率	3.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

M381L1713ETM-CCC相似产品对比

	M381L1713ETM-CCC	M368L1713ETM-LC4	M368L1713ETM-CC4	M381L1713ETM-CC4	M381L1713ETM-LC4	M368L1713ETM-LCC	M368L1713ETM-CCC	M381L1713ETM-LCC
描述	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX64, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 16MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	1207959552 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1207959552 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	64	64	72	72	64	64	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184	184	184
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX72	16MX64	16MX64	16MX72	16MX72	16MX64	16MX64	16MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.03 A	0.025 A	0.025 A	0.03 A	0.03 A	0.025 A	0.025 A	0.03 A
最大压摆率	3.15 mA	2.65 mA	2.65 mA	2.97 mA	2.97 mA	2.8 mA	2.8 mA	3.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V	2.6 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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