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IDT70V06S25GI

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
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文件大小168KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V06S25GI概述

Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68

IDT70V06S25GI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明CERAMIC, PGA-68
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e0
长度29.464 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA68,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.464 mm

IDT70V06S25GI相似产品对比

IDT70V06S25GI IDT70V06S25JI IDT70V06S20PFI IDT70V06S20JI
描述 Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 PGA LCC QFP LCC
包装说明 CERAMIC, PGA-68 QCCJ, LDCC68,1.0SQ LQFP, QFP64,.66SQ,32 QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数 68 68 64 68
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 25 ns 20 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-CPGA-P68 S-PQCC-J68 S-PQFP-G64 S-PQCC-J68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 29.464 mm 24.2062 mm 14 mm 24.2062 mm
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 68 68 64 68
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 16KX8 16KX8 16KX8 16KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 PGA QCCJ LQFP QCCJ
封装等效代码 PGA68,11X11 LDCC68,1.0SQ QFP64,.66SQ,32 LDCC68,1.0SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY CHIP CARRIER FLATPACK, LOW PROFILE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 240 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.207 mm 4.57 mm 1.6 mm 4.57 mm
最大待机电流 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.21 mA 0.21 mA 0.225 mA 0.225 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 PIN/PEG J BEND GULL WING J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm
端子位置 PERPENDICULAR QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 20 30
宽度 29.464 mm 24.2062 mm 14 mm 24.2062 mm
湿度敏感等级 - 1 3 1
Base Number Matches - 1 1 1
Error: Can't fit design in device啥问题
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