Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | PGA |
包装说明 | CERAMIC, PGA-68 |
针数 | 68 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 25 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 29.464 mm |
内存密度 | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 68 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA68,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.207 mm |
最大待机电流 | 0.015 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.21 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 29.464 mm |
IDT70V06S25GI | IDT70V06S25JI | IDT70V06S20PFI | IDT70V06S20JI | |
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描述 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, CPGA68, CERAMIC, PGA-68 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | PGA | LCC | QFP | LCC |
包装说明 | CERAMIC, PGA-68 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | LQFP, QFP64,.66SQ,32 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
针数 | 68 | 68 | 64 | 68 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 25 ns | 25 ns | 20 ns | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P68 | S-PQCC-J68 | S-PQFP-G64 | S-PQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 29.464 mm | 24.2062 mm | 14 mm | 24.2062 mm |
内存密度 | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit | 131072 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 68 | 68 | 64 | 68 |
字数 | 16384 words | 16384 words | 16384 words | 16384 words |
字数代码 | 16000 | 16000 | 16000 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 16KX8 | 16KX8 | 16KX8 | 16KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | PGA | QCCJ | LQFP | QCCJ |
封装等效代码 | PGA68,11X11 | LDCC68,1.0SQ | QFP64,.66SQ,32 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY | CHIP CARRIER | FLATPACK, LOW PROFILE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | 240 | 225 |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.207 mm | 4.57 mm | 1.6 mm | 4.57 mm |
最大待机电流 | 0.015 A | 0.015 A | 0.015 A | 0.015 A |
最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
最大压摆率 | 0.21 mA | 0.21 mA | 0.225 mA | 0.225 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | PIN/PEG | J BEND | GULL WING | J BEND |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 0.8 mm | 1.27 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 20 | 30 |
宽度 | 29.464 mm | 24.2062 mm | 14 mm | 24.2062 mm |
湿度敏感等级 | - | 1 | 3 | 1 |
Base Number Matches | - | 1 | 1 | 1 |
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