Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-93
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最大直流栅极触发电流 | 400 mA |
最大直流栅极触发电压 | 4 V |
最大维持电流 | 200 mA |
JEDEC-95代码 | TO-93 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
最大漏电流 | 15 mA |
通态非重复峰值电流 | 4500 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最大通态电流 | 175000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
认证状态 | Not Qualified |
断态重复峰值电压 | 200 V |
重复峰值反向电压 | 200 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
2N3886 | New Jersey Semiconductor | PHASE CONTROL SCR |
15102GOAE3 | Microsemi | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN |
NTE5580 | NTE | 235.5 A, 200 V, SCR, TO-93 |
15102GOA | Microsemi | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN |
2N3885 | New Jersey Semiconductor | PHASE CONTROL SCR |
2N3884 | New Jersey Semiconductor | PHASE CONTROL SCR |
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