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2N3886

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-93
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小330KB,共4页
制造商Semitronics Corp
相似器件已查找到6个与2N3886功能相似器件
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2N3886概述

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-93

2N3886规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流400 mA
最大直流栅极触发电压4 V
最大维持电流200 mA
JEDEC-95代码TO-93
JESD-30 代码O-MUPM-H3
最大漏电流15 mA
通态非重复峰值电流4500 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流175000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压200 V
重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

与2N3886功能相似器件

器件名 厂商 描述
2N3886 New Jersey Semiconductor PHASE CONTROL SCR
15102GOAE3 Microsemi Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
NTE5580 NTE 235.5 A, 200 V, SCR, TO-93
15102GOA Microsemi Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN
2N3885 New Jersey Semiconductor PHASE CONTROL SCR
2N3884 New Jersey Semiconductor PHASE CONTROL SCR

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