IDT54FCT162374CTEB,IDT54FCT162374CTEB pdf中文资料,IDT54FCT162374CTEB引脚图,IDT54FCT162374CTEB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT54FCT162374CTEB: 产品描述Bus Driver, FCT Series, 2-Func, 8-Bit, True Output, CMOS, CDFP48, CERPACK-48; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小112KB，共7页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT54FCT162374CTEB概述

Bus Driver, FCT Series, 2-Func, 8-Bit, True Output, CMOS, CDFP48, CERPACK-48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DFP
包装说明	CERPACK-48
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
其他特性	MAX OUTPUT SKEW = 0.5NS; TYP VOLP < 0.6V @ VCC = 5V, TA = 25 DEGREE C
系列	FCT
JESD-30 代码	R-GDFP-F48
JESD-609代码	e0
长度	15.875 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER
最大I（ol）	0.016 A
位数	8
功能数量	2
端口数量	2
端子数量	48
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	3-STATE WITH SERIES RESISTOR
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL48,.4,25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	6.2 ns
传播延迟（tpd）	6.2 ns
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	2.413 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
触发器类型	POSITIVE EDGE
宽度	9.652 mm

	IDT54FCT162374CTEB	IDT54FCT162374ETEB
描述	Bus Driver, FCT Series, 2-Func, 8-Bit, True Output, CMOS, CDFP48, CERPACK-48	Bus Driver, FCT Series, 2-Func, 8-Bit, True Output, CMOS, CDFP48, CERPACK-48
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DFP	DFP
包装说明	CERPACK-48	CERPACK-48
针数	48	48
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
系列	FCT	FCT
JESD-30 代码	R-GDFP-F48	R-GDFP-F48
JESD-609代码	e0	e0
长度	15.875 mm	15.875 mm
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER	BUS DRIVER
位数	8	8
功能数量	2	2
端口数量	2	2
端子数量	48	48
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
输出特性	3-STATE WITH SERIES RESISTOR	3-STATE WITH SERIES RESISTOR
输出极性	TRUE	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DFP	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	2.413 mm	2.413 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT	FLAT
端子节距	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
宽度	9.652 mm	9.652 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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