IDT72T54242L5BBI,IDT72T54242L5BBI pdf中文资料,IDT72T54242L5BBI引脚图,IDT72T54242L5BBI电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT72T54242L5BBI: 产品描述FIFO, 128KX10, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324; 产品类别存储存储; 文件大小536KB，共55页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT72T54242L5BBI概述

FIFO, 128KX10, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324

IDT72T54242L5BBI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324
针数	324
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	3.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
周期时间	5 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B324
JESD-609代码	e0
长度	19 mm
内存密度	1310720 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	10
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	324
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX10
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA324,18X18,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.97 mm
最大待机电流	0.066 A
最大压摆率	0.42 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	19 mm

IDT72T54242L5BBI相似产品对比

	IDT72T54242L5BBI	IDT72T54252L5BBI	IDT72T54262L5BBI	IDT72T54252L6-7BBI	IDT72T54242L6-7BBI	IDT72T54242L5BB
描述	FIFO, 128KX10, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	FIFO, 256KX10, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	FIFO, 512KX10, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	FIFO, 64KX20, 3.8ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	FIFO, 32KX20, 3.8ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	FIFO, 32KX20, 3.6ns, Synchronous, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324	19 X 19 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-324
针数	324	324	324	324	324	324
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	3.6 ns	3.6 ns	3.6 ns	3.8 ns	3.8 ns	3.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	150 MHz	150 MHz	200 MHz
周期时间	5 ns	5 ns	5 ns	6.7 ns	6.7 ns	5 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B324	S-PBGA-B324	S-PBGA-B324	S-PBGA-B324	S-PBGA-B324	S-PBGA-B324
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm
内存密度	1310720 bit	2621440 bit	5242880 bit	1310720 bit	655360 bit	655360 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	10	10	10	20	20	20
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	324	324	324	324	324	324
字数	131072 words	262144 words	524288 words	65536 words	32768 words	32768 words
字数代码	128000	256000	512000	64000	32000	32000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
组织	128KX10	256KX10	512KX10	64KX20	32KX20	32KX20
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA324,18X18,40	BGA324,18X18,40	BGA324,18X18,40	BGA324,18X18,40	BGA324,18X18,40	BGA324,18X18,40
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.97 mm	1.97 mm	1.97 mm	1.97 mm	1.97 mm	1.97 mm
最大待机电流	0.066 A	0.066 A	0.066 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最大压摆率	0.42 mA	0.42 mA	0.42 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	30	30	30
宽度	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm	19 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-

IDT72T54242L5BBI

IDT72T54242L5BBI概述

IDT72T54242L5BBI规格参数

IDT72T54242L5BBI相似产品对比

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