64KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm |
| TMS28F512A-10C4FMLR | TMS28F512A-12C4FMLR | |
|---|---|---|
| 描述 | 64KX8 FLASH 12V PROM, 100ns, PQCC32 | 64KX8 FLASH 12V PROM, 120ns, PQCC32 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns | 120 ns |
| 命令用户界面 | YES | YES |
| 数据轮询 | NO | NO |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 |
| 长度 | 13.97 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 12 V | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm | 3.56 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO | NO |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
