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V58C2256164SCS5BI

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, MO-233, FBGA-60
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文件大小918KB,共61页
制造商ProMOS Technologies Inc
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V58C2256164SCS5BI概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PBGA60, MO-233, FBGA-60

V58C2256164SCS5BI规格参数

参数名称属性值
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.65 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
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