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GS84032AGB-180T

产品描述Cache SRAM, 128KX32, 8ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小405KB,共30页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准
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GS84032AGB-180T概述

Cache SRAM, 128KX32, 8ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, FPBGA-119

GS84032AGB-180T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA153,9X17,50
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间8 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)180 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
长度22 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA153,9X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.19 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.335 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
关于149的输出时间问题
#include "msp430x14x.h"void main(void){unsigned int i;WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;P5DIR|=0x10;P5SEL=0x10;BCSCTL1&=~XT2OFF;do{IFG1&=~OFIFG;for(i=0xFF;i>0;i--);}while((IFG1&OFIFG)!=0);BCSCTL2|=SELM1;for(;;);}P...
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