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MSC23B21-70BS4

产品描述Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, CMOS, PSMA72,
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文件大小345KB,共8页
制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd
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MSC23B21-70BS4概述

Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, CMOS, PSMA72,

MSC23B21-70BS4规格参数

参数名称属性值
厂商名称LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明SIMM, SSIM72
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N72
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
端子数量72
字数524288 words
字数代码512000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度19.05 mm
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE

MSC23B21-70BS4相似产品对比

MSC23B21-70BS4 MSC23B21-70DS4
描述 Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, CMOS, PSMA72, Fast Page DRAM Module, 512KX36, 70ns, CMOS, PSMA72,
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N72 R-PSMA-N72
内存密度 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 36 36
端子数量 72 72
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 512KX36 512KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512
座面最大高度 19.05 mm 19.05 mm
最大待机电流 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.35 mA 0.35 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE

 
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