电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI1046X-T1-E3

产品描述N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SI1046X-T1-E3概述

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI1046X-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SC-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.606 A
最大漏极电流 (ID)0.0606 A
最大漏源导通电阻0.42 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
New Product
Si1046X
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
0.420 at V
GS
= 4.5 V
20
0.501 at V
GS
= 2.5 V
0.660 at V
GS
= 1.8 V
I
D
(A)
a
0.606
0.505
0.15
0.92
Q
g
(Typ.)
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 1.8 V Rated
• ESD Protected: 2000 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
• Battery Operated Systems
• Power Supply Converter Circuits
• Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
SC89-3L
G
1
Marking Code
3
3
D
XX
YY
Lot Traceability
and Date Code
S
2
Top
View
Part # Code
Ordering Information:
Si1046X-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1046X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
20
±8
0.606
b, c
0.485
b, c
2.5
0.21
b, c
0.25
b, c
0.16
b, c
- 55 to 150
Unit
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Notes:
a. Based on T
C
= 25 °C.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
t
5s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
440
540
Maximum
530
650
Unit
°C/W
Document Number: 74594
S09-1225-Rev. C, 29-Jun-09
www.vishay.com
1

SI1046X-T1-E3相似产品对比

SI1046X-T1-E3 SI1046X
描述 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Cyclone V开发板试用报告三 简单的按键中断
上周Altera推出了Quartus II 12.1版本的设计套件。我第一时间安装完成,新版软件SDI的IP对Cyclone V的支持又上了一个台阶,Triple-Speed模式能使用了。28nm的器件库还没有完备,下一阶段估计还 ......
guoyuboy FPGA/CPLD
读好书《运算放大器参数解析与LTspice应用仿真》读书笔记之01一扉页
本帖最后由 qi777ji 于 2021-5-24 11:14 编辑 今天终于收到了这本书,谢谢EEWORLD!打开扉页,在前言中作者介绍了该书的写作初衷是为模拟电子工程师在放大器设计和使用中提供有效的指导与 ......
qi777ji 模拟电子
ARM的设计问题
本帖最后由 Arcticcoean 于 2014-4-1 15:43 编辑 TI的arm很多都有供电顺序问题,请问这种情况下如何选择电源芯片呢?比如AM387x Sitara...
Arcticcoean ARM技术
关于驱动的地址访问
访问GPIO的物理地址, 0x400280000,从BSP中给的驱动是,把虚拟地址为0Xff0000000+0x280000,不知道为什么这样做,再个说了,这个写不成功,那位兄弟知道写物理地址的,麻烦指教一下。在线等待MS ......
jus_ly 嵌入式系统
不知道兑换请求提交成功了没有呢
本帖最后由 曾经in 于 2015-7-21 21:46 编辑 有地方可以查看提交记录吗?周末晚上发的,第一次兑换,不知道兑换请求提交成功了没有呢 ...
曾经in 聊聊、笑笑、闹闹
Keil C51使用详解
Keil C51使用详解...
lorant 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2182  489  1132  1773  1490  26  25  51  33  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved