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MT46V32M16BN-5BLIT

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60
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文件大小3MB,共93页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT46V32M16BN-5BLIT概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60

MT46V32M16BN-5BLIT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度12.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.005 A
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10 mm

MT46V32M16BN-5BLIT相似产品对比

MT46V32M16BN-5BLIT MT46V32M16P-6TLIT MT46V32M16BN-5BIT
描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA TSOP BGA
包装说明 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TSSOP, TSSOP66,.46 TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数 60 66 60
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 167 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PDSO-G66 R-PBGA-B60
JESD-609代码 e1 e3 e1
长度 12.5 mm 22.22 mm 12.5 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 60 66 60
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32MX16 32MX16 32MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TSSOP TBGA
封装等效代码 BGA60,9X12,40/32 TSSOP66,.46 BGA60,9X12,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.3 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.5 V 2.6 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL GULL WING BALL
端子节距 1 mm 0.65 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
宽度 10 mm 10.16 mm 10 mm
是否无铅 不含铅 - 不含铅

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