DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数 | 60 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 12.5 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装等效代码 | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.005 A |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 10 mm |
MT46V32M16BN-5BLIT | MT46V32M16P-6TLIT | MT46V32M16BN-5BIT | |
---|---|---|---|
描述 | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-66 | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 10 X 12.50 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-60 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA | TSOP | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA60,9X12,40/32 | TSSOP, TSSOP66,.46 | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数 | 60 | 66 | 60 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 167 MHz | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 | R-PDSO-G66 | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码 | e1 | e3 | e1 |
长度 | 12.5 mm | 22.22 mm | 12.5 mm |
内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 60 | 66 | 60 |
字数 | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 | 32000000 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32MX16 | 32MX16 | 32MX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA | TSSOP | TBGA |
封装等效代码 | BGA60,9X12,40/32 | TSSOP66,.46 | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
电源 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES |
连续突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.3 V | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V | 2.5 V | 2.6 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL | GULL WING | BALL |
端子节距 | 1 mm | 0.65 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
宽度 | 10 mm | 10.16 mm | 10 mm |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
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