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PZTA92

产品描述RF POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PZTA92概述

RF POWER TRANSISTOR

射频功率晶体管

PZTA92规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, halfpage
M3D087
PZTA92
PNP high-voltage transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 May 22
1999 Apr 14

PZTA92相似产品对比

PZTA92 PZTA92,115
描述 RF POWER TRANSISTOR PNP high-voltage transistor
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 PLASTIC, SC-73, 4 PIN
Reach Compliance Code unknow compli
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz

 
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