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2N2698

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, MT-9
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共4页
制造商Semitronics Corp
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2N2698概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, MT-9

2N2698规格参数

参数名称属性值
包装说明MT-9
针数9
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1
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