IC 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 最大待机电流 | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.44 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| THMY644071BEG-10 | THMY644071BEG-80 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM | IC 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7 ns | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 125 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 268435456 bit | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 168 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX64 | 4MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 |
| 最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A |
| 最大压摆率 | 0.44 mA | 0.56 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
模拟与混合信号
DSP 与 ARM 处理器
DIY/开源硬件专区
电源技术
DIY/开源硬件专区
聊聊、笑笑、闹闹
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
