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WE128K32-250G2TMA: 产品描述EEPROM Module, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小621KB，共14页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WE128K32-250G2TMA概述

EEPROM Module, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQFP68, 22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	1546171883
包装说明	22.40 X 22.40 MM, 4.57 MM HEIGHT, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	250 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度	16
数据轮询	YES
JESD-30 代码	S-CQFP-G68
JESD-609代码	e0
长度	22.36 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP68,.99SQ,50
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.57 mm
最大待机电流	0.0025 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
切换位	NO
宽度	22.36 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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