Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop With Clear and Preset 8-X2SON -40 to 125
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | VSON, SOLCC8,.04,14 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
系列 | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 1.4 mm |
逻辑集成电路类型 | D FLIP-FLOP |
最大频率@ Nom-Su | 175000000 Hz |
最大I(ol) | 0.032 A |
湿度敏感等级 | 1 |
位数 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出极性 | COMPLEMENTARY |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.04,14 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3.3 V |
最大电源电流(ICC) | 0.01 mA |
Prop。Delay @ Nom-Su | 5.9 ns |
传播延迟(tpd) | 8.2 ns |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.35 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发器类型 | POSITIVE EDGE |
宽度 | 1 mm |
最小 fmax | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 |
SN74LVC1G74DQER | SN74LVC1G74RSER | SN74LVC1G74RSE2 | |
---|---|---|---|
描述 | Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop With Clear and Preset 8-X2SON -40 to 125 | Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop With Clear and Preset 8-UQFN -40 to 125 | Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop With Clear and Preset 8-UQFN -40 to 125 |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | VSON, SOLCC8,.04,14 | VQCCN, LCC8,.06SQ,20 | VQCCN, LCC8,.06SQ,20 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Factory Lead Time | 6 weeks | 1 week | 6 weeks |
系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 | S-PQCC-N8 | S-PQCC-N8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
长度 | 1.4 mm | 1.5 mm | 1.5 mm |
逻辑集成电路类型 | D FLIP-FLOP | D FLIP-FLOP | D FLIP-FLOP |
最大频率@ Nom-Su | 175000000 Hz | 175000000 Hz | 175000000 Hz |
最大I(ol) | 0.032 A | 0.032 A | 0.032 A |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
位数 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
输出极性 | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY | COMPLEMENTARY |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VSON | VQCCN | VQCCN |
封装等效代码 | SOLCC8,.04,14 | LCC8,.06SQ,20 | LCC8,.06SQ,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE |
包装方法 | TR | TR | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
最大电源电流(ICC) | 0.01 mA | 0.01 mA | 0.01 mA |
Prop。Delay @ Nom-Su | 5.9 ns | 5.9 ns | 5.9 ns |
传播延迟(tpd) | 8.2 ns | 8.2 ns | 8.2 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.4 mm | 0.6 mm | 0.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.35 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
触发器类型 | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
宽度 | 1 mm | 1.5 mm | 1.5 mm |
最小 fmax | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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