DUAL OP-AMP, 5800uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERAMIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.02 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA |
| 最小共模抑制比 | 75 dB |
| 标称共模抑制比 | 87 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 5800 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| 长度 | 9.58 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-5/+-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 1.5 V/us |
| 标称压摆率 | 4.1 V/us |
| 最大压摆率 | 0.56 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIFET |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 5000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
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