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BLV31

产品描述RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小14KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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BLV31概述

RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

BLV31规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)15
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)48 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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