Dual-Port SRAM, 32KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, TQFP-128 |
| 针数 | 128 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 4.2 ns |
| 其他特性 | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 128 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 14 mm |
| IDT70V3379S4PRF9 | IDT70V3379S5PRF9 | IDT70V3379S6PRF9 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 5ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 | Dual-Port SRAM, 32KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | QFP | QFP | QFP |
| 包装说明 | PLASTIC, TQFP-128 | PLASTIC, TQFP-128 | PLASTIC, TQFP-128 |
| 针数 | 128 | 128 | 128 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 4.2 ns | 5 ns | 6 ns |
| 其他特性 | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G128 | R-PQFP-G128 | R-PQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20 mm | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 589824 bit | 589824 bit | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 128 | 128 | 128 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX18 | 32KX18 | 32KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFQFP | LFQFP | LFQFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | 20 |
| 宽度 | 14 mm | 14 mm | 14 mm |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | - | IDT (Integrated Device Technology) |
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