Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 170V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC PACKAGE-2
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 零件包装代码 | DO-215AB |
| 包装说明 | R-PDSO-G2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大击穿电压 | 209 V |
| 最小击穿电压 | 189 V |
| 击穿电压标称值 | 199 V |
| 最大钳位电压 | 275 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-215AB |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 1.61 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 170 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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