Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-200AA,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
应用 | FAST RECOVERY |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 2.26 V |
JEDEC-95代码 | DO-200AA |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 5080 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最大输出电流 | 350 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1400 V |
最大反向恢复时间 | 1 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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