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K7N161845M-QC150: 产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小356KB，共20页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7N161845M-QC150概述

ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

wiggler-jtag的原理及电路板！！！可直接使用的！！！: 除了wiggler-jtag的原理及电路板外，还有三款不同的JTAG电路板！！！Protell版本的！！！！！...; 呱呱嵌入式系统

还有人玩2D激光雕刻机吗？功能大全，软硬件通吃（一）初出茅庐: [i=s] 本帖最后由 zhengjingwen 于 2018-5-18 23:26 编辑 [/i]从模仿大神的废旧光驱玩写字机做起，看看都能实现哪些功能，有兴趣的同我一起做。各位前辈也进来指点一下。各种刻录机已经很多了，我就不介绍那么详细了，只说一下重点部分。一、初始之路：三个光驱电机XYZ轴，Z轴负责台笔。硬件搭配：arduino主板+扩展板+3个A4988，很经典的搭配。主板控制电源采用US...; zhengjingwen DIY/开源硬件专区

一个PN结的场效应管: 目前，MOS工艺的绝缘栅场效应管由于其优越的性能在分立元件和集成电路方面都得到了广泛的应用。由其结构可以看出，目前的场效应管是在沟道的两端各扩散一个PN结，形成一种PN结背靠背连接的结构。以P型衬底N沟道增强型场效应管为例，在电路中，源极（S）接电源负极，漏极（D）接电源正极，当栅源电压VGS=0时，因源扩散区接低电位，电子载流子将可以顺利通过源极-衬底间的PN结到达漏极-衬底间的PN结，受漏极-...; zck_2012 DIY/开源硬件专区

请教一个DDS的问题: [i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:26 编辑 [/i]在DDS设计中，要求实现VPP的幅度调整，看过一些资料是用产生波形的DA的输出接在ad0832的VREF端，我有几个问题不是很清楚：1、这样的连接方法，是不是对DA的速度没有要求？就是说信号的频率高于DA的转换速度也可以？（我觉得应该是可以吧。。。）2、0832好像是T形电阻网络的DA，如果换用其他型号的D...; ma9453 电子竞赛

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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