KM736S4017H-5000,KM736S4017H-5000 pdf中文资料,KM736S4017H-5000引脚图,KM736S4017H-5000电路-Datasheet-电子工程世界

KM736S4017H-5000: 产品描述Standard SRAM, 128KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, BGA-153; 产品类别存储存储; 文件大小327KB，共14页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KM736S4017H-5000概述

Standard SRAM, 128KX36, 2.7ns, CMOS, PBGA153, 14 X 22 MM, BGA-153

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	153
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.7 ns
其他特性	SELF-TIMED LATE WRITE; ALSO REQUIRES 1.5V OUTPUT SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B153
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	153
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	128KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.21 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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