Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4H511638D-KCB3

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K4H511638D-KCB3: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小54KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4H511638D-KCB3概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66

K4H511638D-KCB3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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512Mb(x16, DDP)

DDR SDRAM

DDP 512Mbit DDR SDRAM

8M x 16bit x 4 Banks

DDR SDRAM Specification

Revision 1.0

July. 2002

This is to advise Samsung customers that in accordance with certain terms of an agreement, Samsung is prohibited from selling any DRAM

products configured in "Multi-Die Plastic" format for use as components in general and scientific computers, such as mainframes, servers,

work stations or desk top personal computers (hereinafter "Prohibited Computer Use"). Applications such as mobile, including cell phones,

telecom, including televisions and display monitors, or non-desktop computer systems, including laptops, notebook computers, are,

however, permissible. "Multi-Die Plastic" is defined as two or more Dram die encapsulated within a single plastic leaded package.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.0 July. 2002

512Mb(x16, DDP)

Input/Output Function Description

SYMBOL

CK, CK

DDR SDRAM

TYPE

Input

DESCRIPTION

Clock : CK and CK are differential clock inputs. All address and control input signals are sam-

pled on the positive edge of CK and negative edge of CK. Output (read) data is referenced to

both edges of CK. Internal clock signals are derived from CK/CK.

Clock Enable : CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and

device input buffers and output drivers. Deactivating the clock provides PRECHARGE

POWER-DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER-DOWN

(row ACTIVE in any bank). CKE is synchronous for all functions except for disabling outputs,

which is achieved asynchronously. Input buffers, excluding CK, CK and CKE are disabled

during power-down and self refresh modes, providing low standby power. CKE will recognize

an LVCMOS LOW level prior to VREF being stable on power-up.

Chip Select : CS enables(registered LOW) and disables(registered HIGH) the command

decoder. All commands are masked when CS is registered HIGH. CS provides for external

bank selection on systems with multiple banks. CS is considered part of the command code.

Command Inputs : RAS, CAS and WE (along with CS) define the command being entered.

Input Data Mask : DM is an input mask signal for write data. Input data is masked when DM is

sampled HIGH along with that input data during a WRITE access. DM is sampled on both

edges of DQS. DM pins include dummy loading internally, to matches the DQ and DQS load-

ing. For the x16, LDM corresponds to the data on DQ0-DQ7 ; UDM correspons to the data on

DQ8-DQ15.

Bank Addres Inputs : BA0 and BA1 define to which bank ACTIVE, READ, WRITE or PRE-

CHARGE command is being applied.

Address Inputs : Provide the row address for ACTIVE commands, the column address and

AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the mem-

ory array in the respective bank. A10 is sampled during a PRECHARGE command to deter-

mine whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW) or all banks (A10 HIGH). If

only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA0, BA1. The address inputs also

provide the op-code during a MODE REGISTER SET command. BA0 and BA1 define which

mode register is loaded during the MODE REGISTER SET command (MRS or EMRS).

Data Input/Output : Data bus

Data Strobe : Output with read data, input with write data. Edge-aligned with read data, cen-

tered in write data. Used to capture write data. For the x16, LDQS corresponds to the data on

DQ0-DQ7 ; UDQS corresponds to the data on DQ8-DQ15.

No Connect : No internal electrical connection is present.

DQ Power Supply : +2.5V

0.2V.

DQ Ground.

Power Supply : +2.5V

0.2V (device specific).

Ground.

SSTL_2 reference voltage.

CKE

Input

RAS, CAS , WE

LDM,(U)DM

Input

BA0, BA1

A [n : 0]

Input

LDQS,(U)DQS

I/O

D D

R E F

Supply

Input

- 5 -

Rev 1.0 July. 2002

K4H511638D-KCB3相似产品对比

	K4H511638D-KCB3	K4H511638D-KLA2	K4H511638D-KLB3	K4H511638D-KLA0	K4H511638D-KCA2	K4H511638D-KCA0
描述	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX16, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, MS-024FC, TSOP2-66
零件包装代码	TSSOP2	TSSOP2	TSSOP2	TSSOP2	TSSOP2	TSSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66	66	66	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.75 ns	0.6 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	133 MHz	166 MHz	100 MHz	133 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66	66	66
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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