Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4S561632B-TI1HT

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K4S561632B-TI1HT: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54; 产品类别存储存储; 文件大小48KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S561632B-TI1HT概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

K4S561632B-TI1HT规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
端子数量	54
字数	16777216 words
字数代码	16000000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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Preliminary

K4S561632B-TI(P)

CMOS SDRAM

256Mbit SDRAM

4M x 16bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.0

January 2001

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.0 Jan. 2001

K4S561632B-TI1HT相似产品对比

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描述	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	6 ns	6 ns	5.4 ns	5.4 ns	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	100 MHz	133 MHz	133 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
端子数量	54	54	54	54	54
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.21 mA	0.21 mA	0.22 mA	0.22 mA	0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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